| 松下電器產業面向鋰離子充電電池保護電路，開發出了耐壓30V的功率MOS FET“MTMF8233”和耐壓20V的“MTM78E2B”。通過優化MOS FET阱溝道部分的雜質濃度，提高了對電池外部端子的短路以及充電適配器連接不當時產生的過電流的雪崩耐量。雪崩電流，MTMF8233為130A，MTM78E2B為16A。最*定電流分別為20A、4.0A，電力損失為1.0W、0.7W。設想配備于筆記本電腦及手機。 MTMF8233的導通電阻為1.9mΩ（Vgs=10V時）。與現有產品相比，導通電阻降低了37％。原因是使用了0.25μm工藝并采用了新開發的溝道結構。封裝采用6.0mm×5.0mm×0.95mm的SO8。 MTM78E2B在2.1mm×2.0mm×0.7mm的WSMini8封裝中封入了2個n通道型MOSFET。這樣，封裝面積可比原產品減小一半。導通電阻為22mΩ（Vgs=4.0V時）。 |
